C波段连续波200 W GaN内匹配功率管设计与实现

• 作者: 汤茗凯 唐世军 顾黎明 周书同
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: 连续波 氮化镓 大功率 内匹配功率管 C波段
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 电路设计|IC Design
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN325+.3
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0506

摘要

研制了一款C波段连续波大功率GaN内匹配功率管.设计采用4个12 mm栅宽GaN高电子迁移率(HEMT)管芯合成输出,功率管总栅宽4mmx12mm.利用负载牵引(Load-pull)和大信号建模技术提取GaN管芯阻抗,根据管芯阻抗进行匹配电路设计.电路设计充分考虑合成损耗等因素的影响,研制的连续波GaN内匹配功率管在4.4～5.0GHz频段内输出功率200W以上,功率增益10dB以上,功率附加效率超过50％.