基于量子点可饱和吸收镜的锁模激光器

• 作者: 王洪培 王旭 王顺 刘健 蒋成 张子旸
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 被动锁模光纤激光器 InAs/GaAs量子点(QD) 量子点半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM) SiO2 环形腔
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 456-460,473
• 页数: 6页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.06.007

摘要

锁模光纤激光器在工业加工、光通信、光学传感等领域有广泛的应用.由于在GaAs基板上制备的InAs量子点(QD)半导体可饱和吸收镜(QD-SESAM)增益谱较宽、成本较低,将其应用于锁模光纤激光器具有非常大的潜力.然而,生长发光中心波长(λ)为1550 nm的高性能QD-SESAM仍然十分困难.采用分子束外延(MBE)生长制备了1550 nm GaAs基InAs QD-SESAM,通过在SESAM上表面生长厚度为λ/4的SiO2层,将QD-SESAM的调制深度提升至1.4％.使用这种新型的QD-SESAM优化了耦合效率,成功地构建了稳定的环形腔被动锁模掺铒光纤激光器,其斜率效率为2.2％,脉冲宽度为2 ps,重复频率为16.5 MHz,最大输出功率约为4.1 mW.结果 表明,这种带有λ/4厚度SiO2层的QD-SESAM在制备高性能锁模激光器方面具有非常大的应用潜力.