一种新型SISL分支线3 dB定向耦合器

• 作者: 牟成林 刘长军
• 来源期刊: 应用科技
• 关键词: 介质集成悬置线 定向耦合器 回波损耗 插入损耗 相位误差 自封装 电磁屏蔽
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 现代电子技术
• 页码范围: 43-46
• 页数: 4页
• 分类号: TN455
• 语种: 中文
• DOI: 10.11991/yykj.202008011

摘要

为了构造高性能的定向耦合器,提出一种新型介质集成悬置线(SISL)分支线3 dB定向耦合器.该耦合器在SISL空气腔的中心放置由覆铜板和金属化通孔包围的介质基板,提高了SISL结构的稳定性.馈电方式采用同轴接头直接馈电,在SISL与接头连接处增加了接地金属化过孔,减小了插入损耗,改善了电路的电性能.测试结果表明:耦合器中心频率为2.45 GHz,在2.3～2.6 GHz回波损耗和隔离度均优于20 dB,插入损耗低于0.6 dB,幅度不平衡度小于0.5 dB,相位误差小于±1°.该新型定向耦合器结构稳定、损耗低、自封装和电磁屏蔽性能好,具有良好的工程应用前景.