微光像增强器与大尺寸CMOS的直接耦合

• 作者: 高天阳 曹峰梅 王霞 崔志刚
• 来源期刊: 红外技术
• 关键词: 直接耦合 ICMOS 光锥耦合 微光增强
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 微光技术|LOW-LIGHT-LEVEL
• 页码范围: 537-542
• 页数: 6页
• 分类号: TN223|TN206
• 语种: 中文

摘要

通过将直径为40 mm的像增强器与全画幅尺寸CMOS直接耦合,对大尺寸直耦工艺进行了研究.针对使用透镜耦合制成的大尺寸ICCD/ICMOS体积大、光能损失大以及光锥耦合的器件莫尔条纹较多等问题提出采用直接耦合的工艺制作ICCD/ICMOS.文中研制的大尺寸ICMOS可获取更大视场内的信息,整机分辨率可达3800×1900 LW/PH,画面清晰,无明显莫尔条纹,结构紧凑,整机仅为手持数码相机大小,隐蔽性强,有利于在复杂环境中更准确、快速地获取目标信息.