高技术产业知识积累、研发投入与科技创新——基于门槛效应

• 作者: 蒋兵 张文礼 程钧谟
• 来源期刊: 财会月刊
• 学科: 经济
• 关键词: 研发投入 知识积累 科技创新 门槛效应
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 财务研究
• 页码范围: 35-42
• 页数: 8页
• 分类号: FF273.1|F276.44
• 语种: 中文
• DOI: 10.19641/j.cnki.42-1290/f.2021.06.004

摘要

选取我国高技术产业2009～2018年省际面板数据为样本,从研发投入视角构建知识积累影响科技创新的门槛效应模型,探究自主研发投入、FDI流入和政府补贴的门槛效应,并分析各地区所属门槛区间特征.研究发现,知识积累对科技创新的影响均显著存在基于自主研发投入、FDI流入和政府补贴的"双重门槛效应",且三个门槛变量下知识积累对科技创新均为促进作用.自主研发投入、FDI流入和政府补贴的最佳研发投入区间分别为第二区间(10.124≤rd<13.694)、第三区间(fdi≥-1.26)和第一区间(gov<-1.999),此时高技术产业知识积累对科技创新促进效应最显著.