基于杂质分凝技术的隧穿场效应晶体管电流镜

• 作者: 陈玲丽 刘畅 刘强 赵兰天 刘晨鹤 朱宇波 俞文杰
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 隧穿场效应晶体管(TFET) 杂质分凝 电流镜 电流传输比 双极导通行为
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 365-369,401
• 页数: 6页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.05.005

摘要

在全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)衬底上制备了一种新型隧穿场效应晶体管(TFET),并用相似的工艺方法制备金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)作为比较,分别基于两种器件构成基本电流镜电路,研究两种器件的基本性能和电路电流传输能力.两种器件均采用杂质分凝技术制备,在源漏与沟道的界面形成了陡峭的杂质分布,TFET也因此具备陡峭的隧穿结.两种器件的载流子输运机制不同,因此温度对电流的影响也不同,此外,不同于MOSFET的单极导通行为,TFET由于源漏两端均为重掺杂,表现为强烈的双极导通行为.测试发现,由TFET构成的电流镜电路的电流传输比高达97％,高于一般的TFET电流镜和实验中用于对比的MOSFET电流镜,且TFET电流镜的输出阻抗较高,约1 MΩ.这为TFET的研发与简单应用提供了参考.