新型航天电子设备用中子屏蔽复合材料制备及性能

• 作者: 宫敏 许龙龙 王佳平 高建义 高健 林祥 王东瑞
• 来源期刊: 载人航天
• 关键词: 聚乙烯 复合材料 正温度效应 中子屏蔽
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 基础研究|BASIC RESEARCH
• 页码范围: 446-450
• 页数: 5页
• 分类号: V45
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-5825.2021.04.006

摘要

针对载人航天任务中电子设备对轻质、导电中子屏蔽材料的需求,采用具有高电导率的银包铝微球(Ag@Al)填充聚乙烯(PE),通过熔融混炼和压制方法制备了新型中子屏蔽复合材料,研究了不同填料含量对所得复合材料的电导率、P TC效应及中子屏蔽性能的影响.结果表明:采用高电导率的Ag@Al微球填充P E可获得同时具有良好P TC效应和中子屏蔽功能的复合材料;含量为72％质量分数的Ag@Al复合材料,室温电阻率可低至10-3Ω?m量级,PTC强度为9.49,同时厚度为1 mm的试样可屏蔽约32％的入射热中子.