二维原子层谷电子学材料和器件

• 作者: 孙真昊 管鸿明 付雷 沈波 唐宁
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 二维过渡金属硫属化合物 谷电子学
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 149-161
• 页数: 13页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20201415

摘要

人为操控电子的内禀自由度是现代电子器件的核心和关键.如今电子的电荷和自旋自由度已经被广泛地应用于逻辑计算与信息存储.以二维过渡金属硫属化合物为代表的二维原子层材料由于其具有独特的谷自由度和优异的物理性质,成为了新型谷电子学器件研究的优选材料体系.本文介绍了能谷的基本概念、谷材料的基本物理性质、谷效应的调控和谷电子学器件的研究进展,并对谷电子学材料和器件的研究进行了总结与展望.