SiC纳米棒负载NiPx纳米片异质结的光催化析氢性能

• 作者: 夏梦阳 曹丹 杨贵东
• 来源期刊: 化学反应工程与工艺
• 学科: 化学
• 关键词: 碳化硅 纳米磷化镍 异质结 光催化析氢
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 页码范围: 407-413
• 页数: 7页
• 分类号: O643.38
• 语种: 中文
• DOI: 10.11730/j.issn.1001-7631.2021.05.0407.07

摘要

采用沉淀煅烧法,在不同煅烧温度下,使表面改性的SiC纳米棒上均匀生长NiPx纳米片,分别制备了Ni2P/SiC和NiP2/SiC异质结光催化剂.通过光催化析氢测试和光电性能表征,证明助催化剂NiPx的加入极大提升了SiC纳米棒的光催化性能,表明负载的NiPx作为助催化剂有效抑制了光生电子-空穴对的复合并提供更多的质子活性位点.其中,NiP2/SiC异质结析氢速率高达481.96μmol/(g·h),是Ni2P/SiC异质结的23倍,而且NiP2/SiC异质结具有更好的光催化稳定性,这表明NiP2具有更优异的导电子能力,显著提升了SiC纳米棒的光催化析氢能力.提出了光催化析氢反应机理,根据NiPx/SiC异质结中电荷的迁移路径解释了析氢活性增强的原因.