多通道T/R组件多热源耦合仿真模型

• 作者: 彭浩 桂明洋 迟雷 宋瑛
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: T/R组件 热力学模型 有限元仿真 温度场 红外测温
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 半导体检测与设备|Semiconductor Testing and Equipment
• 页码范围: 492-496
• 页数: 5页
• 分类号: TN385|TN958.92
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.06.013

摘要

半导体器件可靠性受其热效应的影响,多通道T/R组件的温度场本身存在多热源耦合,还受到电磁损耗的影响.为定量研究组件的热效应,建立了基于有限元仿真的T/R组件热力学模型,除芯片热效应和组件的三维结构外,该模型还考虑了组件不同位置的材料特性、组件表面电磁功率损耗和印制电路板(PCB)布线,较传统模型大幅提高了模型精细化程度.通过仿真得到了多通道T/R组件的温度场分布,为组件热设计提供了依据,仿真分析认为PCB含铜量和外壳表面积是影响散热效率的关键因素.最后利用红外热像仪对组件进行测试,并将实测结果与仿真结果进行验证.仿真结果与实测结果相接近,模型精度较传统仿真模型有较大提升.