SRAM版图布局方向对产品失效率的影响

• 作者: 梁家鹏 唐晓柯 关媛 李大猛 李秀全 王小曼
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 静态随机存储器(SRAM) 版图布局 光刻 关键尺寸 工艺窗口
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 可靠性|Reliability
• 页码范围: 236-240
• 页数: 5页
• 分类号: TN402|TP333
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.03.011

摘要

静态随机存储器(SRAM)是集成电路中重要的存储结构单元.由于其制备工艺复杂、关键尺寸较小、对设计规则的要求最为严格,因此SRAM的质量是影响芯片良率的关键因素.针对一款微控制单元(MCU)芯片的SRAM失效问题,进行逻辑地址分析确认失效位点,通过离子聚焦束(FIB)切片及扫描电子显微镜(SEM)分析造成失效的异常物理结构,结合平台同类产品的设计布局对比及生产过程中光刻工艺制程的特点,确认失效的具体原因.对可能造成失效的工艺步骤或参数设计实验验证方案,根据验证结果制定相应的改善措施,通过良率测试及SEM照片确认改善结果,优化工艺窗口.当SRAM中多晶硅线布局方向与测试单元中一致时,工艺窗口最大,良率稳定;因此在芯片设计规则中明确SRAM结构布局方向,对于保证产品的良率具有重要意义.