WSe2场效应晶体管的源漏接触特性研究

• 作者: 张璐 张亚东 孙小婷 贾昆鹏 吴振华 殷华湘
• 来源期刊: 半导体光电
• 关键词: 二硒化钨 双极特性 金属功函数 肖特基势垒 源漏接触 费米能级钉扎
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 371-374,384
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.16818/j.issn1001-5868.2021.03.013

摘要

二硒化钨(WSe2)具有双极导电特性,可以通过外界掺杂或改变源漏金属来调节载流子传输类型,是一类特殊的二维纳米材料,有望在未来集成电路中成为硅(Si)的替代材料.文章采用理论与实验相结合的方式系统分析了 WSe2场效应晶体管中的源漏接触特性对器件导电类型及载流子传输特性的影响,通过制备不同金属作为源漏接触电极的WSe2场效应晶体管,发现金属/WSe2接触的实际肖特基接触势垒高低极大地影响了晶体管的开态电流.源漏金属/WSe2接触特性不仅取决于接触前理想的费米能级差,还受到界面特性,特别是费米能级钉扎效应的影响.