带飞跨电容的三电平拓扑中SiC MOSFET过电压与过电流保护

• 作者: 庄桂元 张兴 刘威 庄加才
• 来源期刊: 电工技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 三电平 大电容值 飞跨电容 过电压保护
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 电力电子学
• 页码范围: 341-351
• 页数: 11页
• 分类号: TN386.1|TM131.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.191638

摘要

为保证SiC MOSFET在三电平拓扑中应用的可靠性,需对其进行过电压与过电流保护.该文针对短路导致的过电压情况,提出在中点钳位(NPC)拓扑中加入大电容值飞跨电容的方法,并结合短路保护,保证发生短路故障时SiC MOSFET不过电压损坏,且能快速保护关断,以减小过电流风险.通过搭建短路测试平台,验证了三电平电路发生短路故障时,大电容值飞跨电容对SiC MOSFET起到过电压保护作用,且SiC MOSFET的短路保护时间在2μs以内.