Si/SiC混并联结构主动温度控制

• 作者: 尹庚 何志志 李宗鉴
• 来源期刊: 电源学报
• 关键词: SiC MOSFET 混并联结构 可靠性 器件温度控制
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 功率半导体器件|Power Semiconductor Devices
• 页码范围: 163-168
• 页数: 6页
• 分类号: TM46
• 语种: 中文
• DOI: 10.13234/j.issn.2095-2805.2021.3.163

摘要

Si/SiC混并联结构以更低的成本,提供了接近全SiC器件的性能,因此Si/SiC混并联结构逐渐成为新的研究热点.目前,Si/SiC混并联结构研究大多集中于如何减小损耗.然而,在Si/SiC混并联结构损耗优化过程中,作为辅助器件的小电流SiC MOSFET可能出现温度过高甚至超过最高结温限制的问题.为此,提出了一种适用于Si/SiC混并联结构的主动温度控制方法,以减小混并联结构由于内部两器件结温差异大带来的器件过温风险,提升器件运行的可靠性.