异质诱导酞菁锌有机薄膜晶体管的蒸镀工艺

• 作者: 董金鹏 孙强 李桂娟 苏和平 王璐 朱阳阳 王丽娟
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: p-6P 酞菁锌(ZnPc) 薄膜生长 有机薄膜晶体管(OTFT) 电性能
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制备及器件物理|Device Fabrication and Physics
• 页码范围: 700-707
• 页数: 8页
• 分类号: TN321+.5
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20210024

摘要

通过调控对六联苯(p-6P)诱导层和酞菁锌(ZnPc)蒸镀工艺条件,研究了有机半导体小分子的结晶生长成膜与ZnPc有机薄膜晶体管(OTFT)器件电性能的关系.结果表明,p-6P在180～190℃较高的衬底生长温度和3～4 nm的生长厚度下能够形成更大的结晶畴以及对二氧化硅衬底表面更好的覆盖,有利于诱导ZnPc小分子的结晶生长,使晶畴的排列更加有序.同时通过X射线衍射分析晶体结构,结果表明p-6P衬底温度的升高会明显提高ZnPc薄膜的结晶性.电性能研究发现,ZnPc蒸镀厚度的增加会显著提高器件的饱和电流和迁移率,在异质诱导条件下,p-6P薄膜厚度为3 nm、ZnPc蒸镀厚度为20 nm时,器件的饱和电流为1.08×10-6 A,迁移率为1.66×10-2 cm2·V-1·s-1.