具有栅源间本征GaN调制层的AlGaN/GaN HEMT

• 作者: 陈飞 冯全源
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 高电子迁移率晶体管(HEMT) 高场区 雪崩击穿 击穿电压 二维电子气(2DEG)
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 694-700
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.006

摘要

为解决常规AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)因源极电子注入栅极右侧高场区造成的雪崩击穿,并提高器件的击穿电压,提出了一种具有栅源间本征GaN (i-GaN)调制层的新型AlGaN/GaN HEMT结构.新结构器件在反向耐压时将调制层下方部分区域的二维电子气(2DEG)完全耗尽,扩展了沟道的夹断区,有效阻止了源极电子向栅极右侧高场区的注入.仿真结果表明,通过设置适当的调制层长度和厚度,器件的击穿电压可从常规结构的862 V提升至新结构的1086 V,增幅达26％.同时,GaN调制层会微幅增大器件的比导通电阻,对阈值电压也具有一定的提升作用.