1550 nm大功率低噪声分布反馈激光器芯片设计

• 作者: 武艳青 车相辉 张磊 赵润 曹晨涛 董风鑫
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 分布反馈(DFB) 波导结构 注入水平 高功率 低相对强度噪声(RIN)
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 705-711
• 页数: 7页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.008

摘要

设计了一种1550 nm波长分布反馈(DFB)激光器芯片,分析了有源区材料和波导结构对芯片参数的影响.分析了影响输出功率和相对强度噪声(RIN)的因素,并进行了实验对比.通过对芯片材料结构和波导结构的优化设计提升了芯片效率、降低了RIN;通过优化腔长与量子阱总增益之间的匹配参量及对光波导的优化设计,提高了芯片注入饱和点;通过提升注入水平提高了芯片输出功率.芯片测试结果显示,25℃时阈值电流为13 mA,斜率效率为0.38 W/A,输出功率为102 mW@300 mA,边模抑制比为51 dB@50 mW,RIN为-160 dB/Hz@300 mA.该芯片具备高输出功率、低RIN、低阈值电流、高斜率效率的特点.