基于VAD法制备的低水峰G.657.B3光纤设计与性能研究

• 作者: 吴椿烽 陈京京 钱宜刚 陈娅丽 沈一春
• 来源期刊: 光通信技术
• 关键词: 气相轴向沉积法 光纤 折射率剖面 弯曲损耗 截止波长 羟基(OH-) 高斯分布
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 光纤光缆
• 页码范围: 43-47
• 页数: 5页
• 分类号: TN929.11
• 语种: 中文
• DOI: 10.13921/j.cnki.issn1002-5561.2021.06.011

摘要

为了研究G.657.B3光纤的折射率剖面结构对光学性能的影响,通过设计凹陷沟槽结构的折射率剖面和相应剖面参数(b a值、c、Δnc-和Δn+),并以适宜的气相轴向沉积(VAD)法工艺、熔融技术以及拉丝条件改善光纤的弯曲损耗,满足光纤传输所需的截止波长、模场直径和低水峰的要求.将工艺优化后所制备的光纤预制棒进行拉丝与测试,结果表明:光纤在1383 nm波长处水峰值降低至0.278 dB/km;在1550 nm、1625 nm波长处,弯曲半径为5 mm绕1圈时的宏弯典型值分别是0.081 dB、0.188 dB,完全满足ITU-T G.657.B3的指标需求.