Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3异质结的制备及其光电性能

• 作者: 周威 谭海军 黎燕 王家钰 钟福新
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 异质结 Ce掺杂Bi2S3 Fe2O3 光电性能 水热法 薄膜
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 半导体制备技术|Semiconductor Fabricating Technologies
• 页码范围: 719-724
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.5|TB383.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.09.010

摘要

采用旋涂法与水热法在掺氟二氧化锡(FTO)上制备了Ce掺杂Bi2S3/Fe2O3(Ce-Bi2S3/Fe2O3)异质结,对样品的组成、形貌及其光电性能进行了研究分析.结果 显示,Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射线衍射(XRD)图谱中各衍射峰位与Bi2S3/Fe2O3相似,无新的相产生,但在2θ为24.92°(130)与28.65°(211)的衍射峰强度有所降低,而在2θ为35.65°(110)时有所增强;在Ce-Bi2S3/Fe2O3的X射线能谱(EDS)中发现了Ce元素.光电性能测试结果表明,在模拟太阳光的照射下Ce-Bi2S/Fe2O3的光电压为0.347 V,比Bi2S3/Fe2O3 (0.281 V)提高了23.5％;光电流密度达到2.31 mA·cm-2,比Bi2S3/Fe2O3 (0.53 mA·cm-2)提高了约3.36倍;电化学阻抗谱(EIS)显示,在光照下Ce-Bi2S3/Fe2O3具有最低的界面阻抗,表明Ce-Bi2S3/Fe2O3中的载流子被更有效地分离和转移.