InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格能带结构研究

• 作者: 李俊斌 刘爱民 蒋志 孔金丞 李东升 李艳辉 周旭昌 杨雯
• 来源期刊: 红外技术
• 关键词: k?p方法 InAs/GaSb超晶格 M结构超晶格 能带结构 掺杂浓度
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 材料与器件|MATERIALS & DEVICES
• 页码范围: 622-628
• 页数: 7页
• 分类号: TN213
• 语种: 中文

摘要

本文通过k?p方法研究了传统InAs/GaSb超晶格和M结构超晶格的能带结构.首先,计算了不同周期厚度的InAs/GaSb超晶格的能带结构,得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构.然后,计算了用于超晶格长波探测器结构的M结构超晶格的能带结构,并给出长波InAs/GaSb超晶格与M结构超晶格之间的带阶.最后,基于能带结构,计算出长波超晶格与M结构超晶格的态密度,进而得出的载流子浓度(掺杂浓度)与费米能级的关系.这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供基础.