原位合成MoSi-SiC复合粉末

• 作者: 常贺强 孙国栋 张国华 周国治
• 来源期刊: 中国钼业
• 学科: 工学
• 关键词: 原位合成 硅热还原 二硫化钼 二硅化钼 碳化硅 复合粉末
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 材料科学与工程|MATERIAL SCIENCE AND ENGINEERING
• 页码范围: 30-33
• 页数: 4页
• 分类号: TF8
• 语种: 中文
• DOI: 10.13384/j.cnki.cmi.1006-2602.2021.06.005

摘要

为了改善二硅化钼(MoSi2)的低温抗氧化性,本文提出了一种原位合成MoSi2-SiC复合粉末的工艺.首次使用MoS2、Si和C作为原料制备MoSi2-SiC复合粉末,相较于Mo、Si和C作为原料可极大降低原料成本.结果 表明:当原料中MoS2∶ Si∶C的摩尔比为1∶(4+x)∶x时,在1400℃反应2h即可制备MoSi2-SiC复合粉末,并且可以通过调控x值来调整产物中SiC的比例.制备的SiC颗粒均匀分布在MoSi2晶粒表面和晶界上,并且随着温度的增加,SiC与MoSi2一同长大.当温度为1500℃时,随着产物中SiC比例的增加,MoSi2的晶粒逐渐减小,这是由于部分生成的SiC分布在MoSi2晶界处抑制了其长大.