基于硅基氮化硅波导的外腔激光器研究

• 作者: 陈家荣 王东辰 彭麦菊
• 来源期刊: 真空
• 关键词: 外腔激光器 Si3N4波导 半导体光放大器 边模抑制
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 测量与控制|Measurement and Control
• 页码范围: 77-79
• 页数: 3页
• 分类号: TN256|TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2021.05.13

摘要

本论文展示了一种可调谐硅基外腔激光器,调谐范围在C波段(1540～1560nm),该激光器使用端面直接耦合(edge coupling)方式将SOA(Semiconductor Optical Amplifier)与硅基Si3N4波导集成.通过设计硅基Si3N4波导微环结构行成激光器外腔,激光器边模抑制比(side-mode suppression,SMSR)可达64dB.使用热调方式对微环进行等效折射率调节,实现了激光器粗调(coarse tune)与精调(fine tune)相结合,调节精度可达0.04nm.