一种促进低温快速沉积Cu(In,Ga)Se2薄膜生长的单加热克努森蒸发源的改良设计

• 作者: 张运祥 林舒平 程世清 何志超 胡朝静 周志强 刘玮 孙云
• 来源期刊: 工程（英文）
• 关键词: Cu(In,Ga)Se2 克努森蒸发源 凝结 液滴喷射 低温
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: Photovoltaic Material—Article
• 页码范围: 534-541,后插1-后插9
• 页数: 1页
• 语种: 英文

摘要

在共蒸发工艺中,克努森蒸发源经常被用来生长高质量Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜.然而,在整个薄膜沉积过程中(尤其在低温工艺下),传统单加热克努森蒸发源不能使金属完全硒化,这可能是由蒸发源坩埚喷嘴处的冷凝和液滴喷射现象造成的.本文将通过热力学分析解释这一现象,同时提出了一种新型单加热克努森蒸发源来解决这一问题.与传统低温快速沉积工艺相比,新型单加热蒸发源提高了薄膜质量,并在230 nm·min–1的生长速率下,将器件相对效率提高了29％.