GaN基光栅的干法刻蚀工艺

• 作者: 郭孝浩 胡磊 任霄钰 吴思 张立群 张志军 杨辉 刘建平
• 来源期刊: 发光学报
• 关键词: 氮化镓 分布式反馈 光栅 电感耦合等离子体刻蚀 BCl3/Cl2
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 发光产业及技术前沿|Luminescence Industry and Technology Frontier
• 页码范围: 889-895
• 页数: 7页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CJL.20210037

摘要

研究了基于BCl3/Cl2电感耦合等离子体(ICP)刻蚀对氮化镓基分布式反馈激光器中光栅的刻蚀,详细研究了刻蚀气体BCl3/Cl2流量比和压强对刻蚀台面侧壁的粗糙度、陡直度以及刻蚀速率的影响,发现以SiO2作为硬掩膜,刻蚀速率、台面侧壁粗糙度以及陡直度随着刻蚀气体BCl3/Cl2流量比以及压强变化有着显著变化.保持ICP功率和射频功率分别为300 W和100 W,当刻蚀气体BCl3/Cl2流量比为1、压强为1.33 Pa(10 mTorr),最终得到200.6 nm/min的可控刻蚀速率、倾角85.3°且光滑的台面侧壁,实现了在保证光栅侧壁光滑的同时提升侧壁倾角.陡直且光滑的光栅对于提升氮化镓基分布式反馈激光器的器件性能及其稳定性非常重要.