锡掺杂CsPbBr3量子点的合成及其光电性能研究

• 作者: 曾凡菊 谭永前 张小梅 尹海峰 陈威威 唐孝生
• 来源期刊: 光学学报
• 关键词: 材料 锡掺杂CsPbBr3量子点 晶体结构 光致发光 电致发光
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 材料|Materials
• 页码范围: 152-159
• 页数: 8页
• 分类号: O439
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/AOS202141.0416001

摘要

采用热注入法合成了锡掺杂CsPbBr3量子点.透射电子显微镜和X射线衍射仪(XRD)的表征结果显示,少量锡掺杂可以部分替代铅,对量子点有钝化作用,减少了量子点的表面缺陷,提高了量子点的光致发光量子效率(PLQY).当掺杂铅和锡的物质的量比为9∶1时,量子点的PLQY从未掺杂时的21.0％提高到了40.4％.随着锡掺杂量的增加,XRD谱中出现了杂相,光致发光减弱,PLQY由少量锡掺杂(铅和锡的物质的量比为9∶1)量子点的40.4％降低到CsPb06Sn04Br3的10.4％.少量锡掺杂的CsPb09Sn01Brs具有最强的光致发光和电致发光,其光致发光峰位为511 nm,PLQY为40.4％,电致发光峰位为512 nm,电致发光亮度为343.0 cd/m2,是未掺杂CsPbBr3量子点发光二极管亮度的2.5倍.本实验证明了采用少量锡掺杂CsPbBr3(CsPb0.9Sn0.1Br3)可以降低量子点的表面缺陷,提高量子点的光致发光与电致发光性能.