CF4流量及射频功率等对反应离子刻蚀硅基材料的影响

• 作者: 廖荣 崔继耀 董景尚 陈栋 何蔚筠
• 来源期刊: 真空
• 关键词: 反应离子刻蚀 各向异性 硅 均匀性 选择比
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 真空应用|Vacuum Technology Application
• 页码范围: 93-97
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13385/j.cnki.vacuum.2020.04.17

摘要

通过一系列的刻蚀实验,研究了在反应离子刻蚀(RIE)过程中,CF4流量及射频功率等工艺参数对刻蚀硅基材料的影响,采用不同工艺条件,得出了对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数,并对结果进行了比较与分析,得到了相对最佳的工艺条件,能较好地实现硅的各向异性刻蚀,为硅基材料刻蚀技术在半导体工艺中的应用做了一定的实验探索.