温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响

• 作者: 欧琳 王静 林兴 赵勇 惠一恒 胡鹏飞 王广才
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: InSb 摩尔比 温度 气压 真空镀膜
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 半导体制备技术|Semiconductor Fabricating Technologies
• 页码范围: 546-552
• 页数: 7页
• 分类号: TN213|TN304.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.07.009

摘要

锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域.InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能.采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比.采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃.同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象.这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴.