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摘要:
针对紫外探测器在紫外-红外双色探测器中的工程化应用需求,开展了Pt/CdS肖特基紫外探测器研究,通过对CdS晶片表面处理工艺、Pt电极制备及紫外芯片退火等关键技术进行优化研究,并对Pt/CdS肖特基紫外探测器性能进行测试分析.测试结果表明:Pt/CdS肖特基紫外探测器在0.3~0.5μm下响应率大于0.2 A/W,对3~5μm红外波长的平均透过率大于80%,很好地满足了紫外-红外双色探测器中的工程化应用要求.
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内容分析
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文献信息
篇名 CdS紫外探测器芯片的制备研究
来源期刊 红外技术 学科
关键词 Pt/CdS 肖特基 紫外探测器 I-V特性
年,卷(期) 2021,(8) 所属期刊栏目 材料与器件|MATERIALS & DEVICES
研究方向 页码范围 773-776
页数 4页 分类号 TN23
字数 语种 中文
DOI
五维指标
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引文网络
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研究主题发展历程
节点文献
Pt/CdS
肖特基
紫外探测器
I-V特性
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
红外技术
月刊
1001-8891
53-1053/TN
大16开
昆明市教场东路31号《红外技术》编辑部
64-26
1979
chi
出版文献量(篇)
3361
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