电子束诱导定向凝固过程中晶体形貌对杂质分布的影响

• 作者: 任世强 胡志强 李鹏廷 赵性川 姜大川 马帅
• 来源期刊: 有色金属（冶炼部分）
• 关键词: 硅 电子束诱导 定向凝固 晶体 杂质
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 材料与设备|Equipment and material
• 页码范围: 90-94
• 页数: 5页
• 分类号: TF804.7|TF804.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7545.2021.06.015

摘要

产业条件下,利用电子束诱导定向凝固技术提纯多晶硅实现晶硅尾料的循环再利用,在硅锭中包括类单晶和柱状晶两种晶体形貌.与多晶区域相比,类单晶区域电阻率和少子寿命等电学性能分布比较均匀,铁杂质的含量分布也较均匀,其质量百分数平均值为0.000031％.电子束诱导定向凝固过程中类单晶的出现,不仅可以保证铸锭提纯区金属杂质成分均匀,而且可以进一步促进杂质向铸锭顶部富集,铸锭顶部的铁杂质含量高达0.101％.因此,利用电子束诱导类单晶生长成为可能,促进金属杂质的去除,为循环硅料的再生提供途径.