Sb2O5掺杂对SnO2压敏电阻综合电气特性的影响

• 作者: 刘冬季 王雪芹 侯梦实 程宽 赵洪峰
• 来源期刊: 电瓷避雷器
• 关键词: SnO2 压敏电阻 电气特性 残压比 肖特基势垒
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 避雷器|Surge Arresters
• 页码范围: 55-61
• 页数: 7页
• 语种: 中文
• DOI: 10.16188/j.isa.1003-8337.2021.04.009

摘要

金属氧化物避雷器是电力系统绝缘配合中的关键设备,避雷器的核心元件是压敏电阻.研究了一种新型的SnO2压敏电阻材料.为了进一步的改善SnO2压敏电阻的综合电气特性,研究了Sb2 O5的掺杂对SnO2压敏电阻的微观结构和电气特性的影响.随着Sb5+掺杂量的逐渐增加,一方面Sb5+通过固溶在SnO2晶格中,从而产生大量的自由电子,大大降低了在大电流区SnO2的晶粒电阻率,使得残压比得到了有效抑制;另一方面增加了界面态密度Ni,改善晶界面上的肖特基势垒高度?b,提高了SnO2压敏电阻的非线性系数,同时也抑制了泄漏电流.由于在高温环境下Sb5+很不稳定一部分会分解成Sb3+,而Sb3+主要分布在SnO2晶粒的周围,通过抑制SnO2晶粒的生长来提高电压梯度.当Sb5+的掺杂浓度(摩尔分数)为0.02％时,获得了最低残压比1.78,其电压梯度为418.7 V/mm,非线性系数为34.2,泄漏电流为7.2μA/cm2.