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摘要:
As demonstrated during the COVID-19 pandemic, advanced deep ultraviolet (DUV) light sources (200–280 nm), such as AlGaN-based light-emitting diodes (LEDs) show excellence in preventing virus transmission, which further reveals their wide applications from biological, environmental, industrial to medical. However, the relatively low external quantum efficiencies (mostly lower than 10%) strongly restrict their wider or even potential applications, which have been known related to the intrinsic properties of high Al-content AlGaN semiconductor materials and especially their quantum structures. Here, we review recent progress in the development of novel concepts and techniques in AlGaN-based LEDs and summarize the multiple physical fields as a toolkit for effectively controlling and tailoring the crucial properties of nitride quantum structures. In addition, we describe the key challenges for further increasing the efficiency of DUV LEDs and provide an outlook for future developments.
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篇名 Multiple fields manipulation on nitride material structures in ultraviolet light-emitting diodes
来源期刊 光:科学与应用(英文版) 学科
关键词
年,卷(期) 2021,(7) 所属期刊栏目 Reviews
研究方向 页码范围 1207-1226
页数 20页 分类号
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光:科学与应用(英文版)
双月刊
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22-1404/O4
吉林省长春市东南湖大路3888号
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