CeO2抛光液对SiO2介质的抛光性能

• 作者: 杨朝霞 张保国 阳小帆 李烨 李浩然
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 关键词: 二氧化铈 二氧化硅 化学机械抛光 材料去除速率 表面粗糙度 氨基酸 表面活性剂
• 年，卷（期）: 2021,（4）
• 所属期刊栏目: 电子技术|Electronoic Technology
• 页码范围: 247-253
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2021.04.001

摘要

以CeO2为磨料配制抛光液,研究了磨料质量分数、pH及添加剂对SiO2介质去除速率和表面粗糙度的影响.结果表明,在抛光液的磨料质量分数为1％,pH为5的条件下,SiO2介质的去除速率为248.9 nm/min.向其中加入质量分数为1％的L-脯氨酸或0.075％的阴离子表面活性剂TSPE-PO(三苯乙烯基苯酚聚氧乙烯醚磷酸酯)后,SiO2介质的去除速率分别提高至268.6 nm/min和302.5 nm/min,表面粗糙度(Rq)从原来的0.588 nm分别变为0.601 nm和0.522 nm.