0.20 μm双埋氧SOI NMOSFET的自热效应

• 作者: 王国庆 张晋敏 吴次南 谢泉 刘凡宇 李博 杨静琦
• 来源期刊: 半导体技术
• 关键词: 双埋氧绝缘层上硅(DSOI) 自热效应(SHE) 晶格温度 退化电流 背栅
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 半导体器件|Semiconductor Devices
• 页码范围: 617-622
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.08.006

摘要

研究了一种新型双埋氧绝缘体上硅(DSOI)NMOSFET的自热效应(SHE).通过实验测试并结合计算机数值模拟分析了SHE对DSOI NMOSFET输出特性的影响.仿真结果显示DSOI NMOSFET的背栅引出结构形成了额外的散热通道.重点研究了器件电压和环境温度对SHE的影响,结果表明随着漏极和栅极电压的增加,器件体区晶格温度升高,SHE增强;随着环境温度的升高,退化电流降低,SHE减弱.此外,重点分析了背栅偏置电压对器件SHE的影响,研究发现负的背栅偏置电压对全耗尽绝缘体上硅和DSOI NMOSFET的SHE均表现出抑制效果,且DSOI NMOSFET的背栅展现出了更好的抑制效果.