基于AT697F微处理器的SRAM抗单粒子设计及实现

• 作者: 肖辉 王娇妮 彭思 余辉 何银强
• 来源期刊: 电子信息对抗技术
• 关键词: EDAC 单粒子翻转 SRAM 空间辐射 微处理器 汉明码
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 工程应用|Engineering Application
• 页码范围: 98-101
• 页数: 4页
• 分类号: TP368.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-2230.2021.05.022

摘要

在航天器设计中,为了减少单粒子翻转效应的影响,星载微处理器的存储单元采用检错和纠错(EDAC)设计.SPRAC V8体系的32位微处理器AT697F具备EDAC功能,能够实现对PROM、SRAM及SDRAM器件的EDAC保护.从线性分组码基础理论入手,详细分析AT697F处理器EDAC检错纠错原理,并通过AT697F的校验码生成矩阵推断出其错误图样.最后,提出一种典型的基于AT697F处理器抗单粒子翻转硬件电路设计方案,并给出地面环境下对EDAC功能的验证措施,验证设计是正确的.