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摘要:
采用可控化学腐蚀法制备SiC量子点,在原有腐蚀剂(氢氟酸和硝酸)的基础上添加适量的分析纯硫酸,一步法完成SiC量子点的表面修饰.采用光度计和Lince软件测量并计算了平均粒径5 nm的SiC量子点在不同溶液浓度下的光致发光谱和平均间距;采用傅里叶变换红外光谱仪对SiC量子点表面的功能团进行检测,对其表面亲水性基团耦合的机理进行分析.结果表明,随着SiC量子点溶液浓度的增大(4~12 μmol·L-1),其光致发光强度先增大后减小,且光致发光强度峰值出现在8 μmol·L-1时;SiC量子点表面形成亲水性基团的关键在于腐蚀法制备过程中超声空化环节所营造的局部高压高温环境.
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文献信息
篇名 溶液浓度对SiC量子点光学性能的影响及表面修饰
来源期刊 半导体技术 学科
关键词 SiC量子点 浓度 光致发光强度 特征发射谱图 生物相容性
年,卷(期) 2021,(8) 所属期刊栏目 半导体制备技术|Semiconductor Fabricating Technologies
研究方向 页码范围 645-649,657
页数 6页 分类号 O649.4
字数 语种 中文
DOI 10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.08.011
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