高压IGBT劣化机理分析及状态监测技术研究综述

• 作者: 祝令瑜 占草 刘琛硕 代建港 汲胜昌
• 来源期刊: 高电压技术
• 关键词: 高压IGBT MMC VSC-HVDC 劣化机理 状态监测 压接型IGBT
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: 大功率电力电子与智能输配电|High-power Electronics Electronics and Intelligent Transmission and Distribution
• 页码范围: 903-916
• 页数: 14页
• 语种: 中文
• DOI: 10.13336/j.1003-6520.hve.20191819

摘要

基于模块化多电平换流器(MMC)的柔性直流输电(VSC-HVDC)技术在电力传输等领域得到广泛应用.高压IGBT的劣化机理分析及状态监测技术对于保证MMC的可靠性具有重要意义.高压IGBT有焊接型和压接型两种不同的封装形式.目前焊接型IGBT的劣化机理研究综述较多,但是缺乏压接型IGBT的相关总结.因此,首先总结了压接型IGBT的状态劣化形式和机理.然后从电学、热学和绝缘参量的角度分析了近年来国内外高压IGBT状态监测领域的研究现状,特别补充了关于压接型IGBT的有关内容.最后,基于对国内外研究中存在问题的分析,展望了MMC用高压IGBT状态监测技术的发展趋势和值得深入研究的方向.对于MMC用高压IGBT状态监测技术研究具有一定意义.