大电流下SiC MOSFET模块的暂态温度特性研究

• 作者: 李占涛 陆海峰
• 来源期刊: 电气传动
• 关键词: 碳化硅(SiC) 金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET) 温度特性 模块 大电流
• 年，卷（期）: 2021,（8）
• 所属期刊栏目: 其他
• 页码范围: 60-64
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 语种: 中文
• DOI: 10.19457/j.1001-2095.dqcd20957

摘要

由于碳化硅(SiC)的材料特性,在极端温度下,碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOS-FET)相对传统硅基器件有突出优势.目前对SiC MOSFET暂态温度特性的研究,主要以单管小电流实验为主,大电流下暂态温度特性的研究还不充分.为分析和验证大电流下暂态温度这一特性,在理论分析的基础上,以CREE 1200 V/300 A半桥SiC MOSFET模块为研究对象,通过双脉冲测试平台研究SiC MOSFET模块及其驱动电路在不同温度环境下的暂态性能.对比分析了不同温度下开关时间、开关损耗、电应力及电流、电压过冲的差异,实验结果对SiC MOSFET模块在大电流下的选型和驱动设计具有一定的参考意义.