一种高性能FPGA辐射发射抑制方法研究

• 作者: 王霞 郑龙飞 王蒙军 张红丽 吴建飞
• 来源期刊: 计算机工程与科学
• 关键词: FPGA 辐射发射 近场扫描 电磁屏蔽材料 电磁辐射抑制
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 高性能计算
• 页码范围: 814-819
• 页数: 6页
• 分类号: TP301
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-130X.2021.05.007

摘要

随着半导体技术的不断发展,集成电路的电路速度、集成密度和I/O端口数量已大大增加,FPGA的小型化、高密度集成会引发电磁兼容性的问题,电磁屏蔽是抑制电磁辐射最有效的方法,选择高效的电磁屏蔽材料可以取得良好的屏蔽效果.而目前电磁屏蔽材料在FPGA上的应用较少,因此选取了一款具有代表性的高性能FPGA作为研究对象,通过近场扫描测试来研究不同状态下FPGA的电磁辐射发射问题;针对芯片的特点,选取了复合金属屏蔽罩和吸波导电海绵作为电磁屏蔽材料,对FPGA的辐射发射进行抑制.进一步的实验结果表明,由金属材料复合而成的屏蔽罩具有更好的屏蔽效能,达到了10 dBm,相比之下,吸波导电海绵的压缩性和结构稳定性更有助于FPGA在多场景下应用.