碱性阻挡层抛光液中ULK介质抛光性能的研究

• 作者: 阳小帆 张保国 杨朝霞 李烨 李浩然
• 来源期刊: 电镀与涂饰
• 关键词: 超低介电常数介质 化学机械抛光 去除速率 碱性抛光液
• 年，卷（期）: 2021,（2）
• 所属期刊栏目: 电子技术|Electronoic Technology
• 页码范围: 102-108
• 页数: 7页
• 分类号: TN305.2
• 语种: 中文
• DOI: 10.19289/j.1004-227x.2021.02.004

摘要

研究了化学机械抛光(CMP)过程中抛光液的Si02磨料质量分数和表面活性剂对多孔SiOCH薄膜(ULK介质)介电常数(k)及抛光速率的影响.所用抛光液(pH = 10)主要由0％-4％(质量分数,下同)SiC2、0.075％H202、1％邻苯二甲酸氢钾和不同质量浓度的表面活性剂组成,其中表面活性剂为非离子表面活性剂脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO-9和AEO-15)、阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)和两亲性非离子表面活性剂辛基苯酚聚氧乙烯醚(OP-50).结果表明,磨料质量分数的增大会使ULK介质的去除速率和k值都增大.聚醚类表面活性剂都能在CMP过程中很好地保护ULK介质表面,降低其去除速率,OP-50的效果尤其好.当采用2％Si02+0.075％H202+1％KHP+200 mg/L OP-50的抛光液进行CMP时,ULK介质的去除速率为5.2 nm/min,k值增幅低于2％,Cu和Co的去除速率基本不变.