超薄异质结太阳能电池背面场的理论模拟优化

• 作者: 车晋
• 来源期刊: 现代盐化工
• 关键词: 纳米晶硅 超薄异质结电池 模拟计算 背面场
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 所属期刊栏目: 经验与技术
• 页码范围: 84-85
• 页数: 2页
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-880X.2021.01.037

摘要

采用AFORS-HET软件对超薄异质结太阳能电池背面场的掺杂浓度、厚度、带隙等参数进行数值模拟和优化,结合实际具体分析了每个参数对超薄异质结电池性能的影响规律,得出了最佳的优化参数.模拟结果表明:对于衬底厚度仅为80μm的超薄异质结电池,综合考虑理论和实际,得出背面场最佳厚度是20 nm.随着背面场掺杂浓度的增加,电池性能整体先提升后趋于恒定,背面场理论的最佳掺杂浓度范围为7E19.