新基建带动下的第三代半导体产业发展机遇

• 作者: 程星华
• 来源期刊: 智能建筑与智慧城市
• 关键词: 第三代半导体 新基建 功率器件 微波射频器件
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 规划管理
• 页码范围: 49-52
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.13655/j.cnki.ibci.2021.05.017

摘要

第三代半导体具有禁带宽度更宽、电子漂移饱和速率更高、绝缘击穿场强更高、热导率更高等特点,适用于高温、高频、高压、高功率器件,应用于通信基站、消费电子、智能电网、光伏逆变器、高铁、新能源汽车、工业电机等多个领域.基于新一代信息技术应用与融合的新型基础设施建设将极大带动第三代半导体材料及器件应用和产业发展.