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化学配比对掺铁InP中铁激活效率的影响
化学配比对掺铁InP中铁激活效率的影响
作者:
黄子鹏
杨瑞霞
孙聂枫
王书杰
陈春梅
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
InP
液封直拉(LEC)法
化学配比
缺陷
Fe激活效率
摘要:
采用磷注入法合成磷化铟(InP)熔体,用液封直拉(LEC)法生长了不同化学配比的掺铁(Fe)InP单晶.用红外吸收光谱研究了化学配比对掺Fe InP单晶中Fe激活效率的影响.结果表明,富磷条件下Fe的激活效率高于配比及富铟条件,分析其影响机理,认为与不同配比条件下铟空位(VIn)的形成能有关.通过第一性原理计算了不同配比条件下VIn和中性态缺陷Fe0In的形成能,发现富铟条件VIn和Fe0In的形成能最高,分别为5.28 eV和-3.50 eV,配比条件VIn和Fe0In的形成能次之,分别为3.99 eV和-5.22 eV,而富磷条件VIn和Fe0In的形成能最低,分别为2.84 eV和-6.83 eV.此外,还计算了费米能级EF在InP的禁带宽度内,带电态缺陷FeI-n1与EF的关系.发现在相同EF下,富磷条件下FeI-n1的形成能均小于配比和富铟条件下FeI-n1的形成能.因此,富磷条件使得晶体中VIn浓度升高,致使Fe杂质更容易以替铟位的形式存在,导致Fe的激活效率更高.
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篇名
化学配比对掺铁InP中铁激活效率的影响
来源期刊
电子元件与材料
学科
关键词
InP
液封直拉(LEC)法
化学配比
缺陷
Fe激活效率
年,卷(期)
2021,(7)
所属期刊栏目
研究与试制|Research & Development
研究方向
页码范围
654-659
页数
6页
分类号
TN304.2
字数
语种
中文
DOI
10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0118
五维指标
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化学配比
缺陷
Fe激活效率
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子元件与材料
主办单位:
中国电子学会
中国电子元件行业协会
国营第715厂(成都宏明电子股份有限公司)
出版周期:
月刊
ISSN:
1001-2028
CN:
51-1241/TN
开本:
大16开
出版地:
成都市一环路东二段8号宏明商厦702室
邮发代号:
62-36
创刊时间:
1982
语种:
chi
出版文献量(篇)
5158
总下载数(次)
16
总被引数(次)
31758
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