5V双向TVS器件表面缺陷改善

• 作者: 陈正才
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: 杂质扩散 漏电 退火
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 81-84
• 页数: 4页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0916

摘要

通过对5V双向TVS产品结构和工艺的研究,分析了高温退火工艺条件下衬底外延离子扩散对晶圆边缘处器件漏电和良率的影响.通过优化退火工艺,改善了器件表面缺陷,解决了晶圆边缘处器件漏电过高的问题,将片内良率从93％提升至99％以上.