MgO掺杂对Al2O3基微波介质陶瓷材料烧结及介电性能的影响

• 作者: 文智弘 孙成礼 张树人 周星
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 关键词: MgO Al2O3 微波介质陶瓷 品质因数
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 研究与试制|Research & Development
• 页码范围: 649-653,659
• 页数: 6页
• 分类号: TQ174
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.0019

摘要

为满足新型微波器件对集成度、频率和温度稳定性等需求,低介电常数、高品质因数和近零谐振频率温度系数的微波介质陶瓷材料具有非常重要的研究价值.采用固相合成法制备了0.9Al2O3-0.1TiO2+xMgO(x=0.15％,0.175％,0.2％,0.225％,摩尔分数)微波介质陶瓷.通过扫描电子显微镜、X射线衍射仪和微波介电性能测试系统研究了不同温度和不同MgO掺杂量对0.9Al2 O3-0.1TiO2陶瓷的微观形貌、物相组成和微波介电性能所产生的影响.结果表明:在1300℃时,添加摩尔分数0.175％的MgO,可以降低0.9Al2 O3-0.1TiO2的致密化烧结温度,同时保持了较高的品质因数Q×?=85188 GHz和近零的谐振频率温度系数τf=-1.9×10-6/℃,相对介电常数εr=12.81.