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摘要:
根据半导体光电子学理论,分析了光注入非平衡载流子(电子-空穴对)的瞬态输运机理,研究了不同条件下的SI-GaAs光电导偶极天线太赫兹波辐射功率和辐射强度的饱和效应.结果表明其主要原因是在外加偏置电场作用下,光注入载流子出现了空间电荷电场屏蔽和辐射电场屏蔽现象,对提高太赫兹波辐射功率和辐射强度起到了遏制作用.对于电极间隙大小不同的天线,两种屏蔽效应的作用不同;在触发光能一定的情况下,照射光斑较大时屏蔽效应较小.
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文献信息
篇名 用光电导天线产生太赫兹电磁波的饱和效应研究
来源期刊 半导体光电 学科 工学
关键词 光电导天线 太赫兹波 载流子 饱和效应
年,卷(期) 2021,(6) 所属期刊栏目 光电技术及应用
研究方向 页码范围 936-939,946
页数 5页 分类号 TN820
字数 语种 中文
DOI 10.16818/j.issn1001-5868.2021092501
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研究主题发展历程
节点文献
光电导天线
太赫兹波
载流子
饱和效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体光电
双月刊
1001-5868
50-1092/TN
大16开
重庆市南坪花园路14号44所内
1976
chi
出版文献量(篇)
4307
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22
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