RIE反应离子刻蚀氮化硅工艺的研究

• 作者: 关一浩 雷程 梁庭 白悦杭 齐蕾 武学占
• 来源期刊: 电子测量技术
• 关键词: 氮化硅 多晶硅 反应离子刻蚀 刻蚀速率 非均匀性
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 测试系统与模块化组件|Test System and Modular Components
• 页码范围: 107-112
• 页数: 6页
• 分类号: TN305
• 语种: 中文
• DOI: 10.19651/j.cnki.emt.2105874

摘要

氮化硅在红外热电堆中既充当钝化隔离层又充当红外吸收层,其薄膜刻蚀在MEMS工艺中至关重要.采用RIE-10NR反应离子刻蚀机以SF6为主要刻蚀气体,通过改变氧气流量、射频功率、腔室压强对氮化硅薄膜进行刻蚀实验.通过台阶仪及共聚焦显微镜表征刻蚀形貌、速率及刻蚀均匀性.实验表明,在SF6流量为50sccm,O2流量为10 sccm,腔室压强为11 Pa,射频功率为250 W的条件下,氮化硅刻蚀速率达到509 nm/min,非均匀性可达2.4％;在同样条件下,多晶硅的刻蚀速率达到94.5 nm/min,选择比为5.39∶1.