改善SiC MOSFET开关特性的有源驱动电路研究

• 作者: 卢乙 李先允 王书征 何鸿天 周子涵
• 来源期刊: 电气传动
• 关键词: 碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 有源驱动电路 LTspice仿真软件 过冲 振荡
• 年，卷（期）: 2021,（16）
• 所属期刊栏目: 变流·滤波技术
• 页码范围: 21-26
• 页数: 6页
• 分类号: TM13
• 语种: 中文
• DOI: 10.19457/j.1001-2095.dqcd21692

摘要

针对碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET)开关过程中存在的电流、电压过冲和振荡问题,首先对SiC MOSFET的开关过程进行详细分析,得出电流、电压过冲和震荡的产生机理,然后根据影响过冲和振荡的关键因素,分别提出了电流注入型、变电压型和变电阻型有源驱动电路,并通过LTspice仿真软件验证了所提有源驱动电路的有效性,最后搭建实验平台对所提变电压型有源驱动电路进行实验验证.实验结果表明,所提变电压型有源驱动电路能够在牺牲较小开关损耗的条件下,有效抑制SiC MOSFET开关过程中的电流、电压过冲和振荡.