高压并联电抗器匝间保护防饱和误动方法研究

• 作者: 戴飞扬 周泽昕 李勇 杜丁香 郭雅蓉 柳焕章
• 来源期刊: 电网技术
• 关键词: 高压并联电抗器 串补电容 谐波分量 计算电感 防误动
• 年，卷（期）: 2021,（5）
• 所属期刊栏目: 电力系统|Power System
• 页码范围: 1993-2000
• 页数: 8页
• 分类号: TM721
• 语种: 中文
• DOI: 10.13335/j.1000-3673.pst.2020.0065a

摘要

高压并联电抗器(high voltage shunt reactor,HVSR)易于在端电压突增的情况下饱和,电气特征上高抗饱和与匝间短路之间较为模糊,传统的基于零序电气量的匝间保护存在误动风险.提出一种新型高抗饱和防误动方法,针对高抗饱和误动问题,构建了基于谐波分量及直流分量的闭锁判据,防止匝间保护在高抗饱和时误动作;同时,为避免所提出的闭锁判据导致匝间保护灵敏度下降,利用高抗在故障及饱和条件下的阻抗特性差异,构建了基于绕组计算电感波动的开放判据,实现了对高抗饱和匝间短路的准确识别,且在高抗匝间短路故障与饱和同时发生时也能可靠开放保护动作.RTD S仿真结果验证了该方法的有效性.