大功率780nm半导体激光器的设计与制备

• 作者: 何林安 周坤 张亮 李弋 杜维川 胡耀 高松信 唐淳
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 关键词: 半导体激光器 腔面灾变损伤 光谱调控 ZnSe 外腔反馈
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 强激光物理与技术|High Power Laser Physics and Technology
• 页码范围: 1-5
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.11884/HPLPB202133.210099

摘要

设计并制备了一款780 nm半导体激光器,并进行了外腔反馈锁模研究.利用金属有机化学气相沉积技术制备了激光器外延层,采用GaAsP/GaInP作为量子阱/波导层有源区,限制层采用低折射率AlGaInP材料.采用超高真空解理钝化技术,在激光器腔面蒸镀无定形ZnSe钝化层.未钝化器件在输出功率2.5?W时发生腔面灾变损伤(COD),钝化后器件未发生COD现象,电流在10?A时输出功率10.1?W,电光转换效率54％.体布拉格光栅(VBG)外腔锁定前后,器件的光谱半峰全宽分别为2.6?nm和0.06?nm,VBG变温调控波长范围约230?pm.