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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
作者:
蔡蔚
孙东阳
周铭浩
郭庆波
高晗璎
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
第三代宽禁带功率半导体
碳化硅
氮化镓
芯片与封装技术
半导体应用与市场
碳化硅控制器和逆变器
摘要:
近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点.抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要.在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题.建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链.
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第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状
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科技导报
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关键词
第三代宽禁带功率半导体
碳化硅
氮化镓
芯片与封装技术
半导体应用与市场
碳化硅控制器和逆变器
年,卷(期)
2021,(14)
所属期刊栏目
专题:第三代半导体的创新发展|Exclusive:Innovation and development of the third generation semiconductor
研究方向
页码范围
42-55
页数
14页
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中文
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研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
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期刊影响力
科技导报
主办单位:
中国科学技术协会
出版周期:
半月刊
ISSN:
1000-7857
CN:
11-1421/N
开本:
大16开
出版地:
北京市海淀区学院南路86号
邮发代号:
2-872
创刊时间:
1980
语种:
chi
出版文献量(篇)
11426
总下载数(次)
48
总被引数(次)
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