第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

• 作者: 蔡蔚 孙东阳 周铭浩 郭庆波 高晗璎
• 来源期刊: 科技导报
• 关键词: 第三代宽禁带功率半导体 碳化硅 氮化镓 芯片与封装技术 半导体应用与市场 碳化硅控制器和逆变器
• 年，卷（期）: 2021,（14）
• 所属期刊栏目: 专题:第三代半导体的创新发展|Exclusive:Innovation and development of the third generation semiconductor
• 页码范围: 42-55
• 页数: 14页
• 语种: 中文

摘要

近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点.抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要.在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题.建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链.